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硅外延技術(shù)規(guī)范
文章作者：poshing 上傳更新：2024-09-25
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序號
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特征
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參數(shù)
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測試方法
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1
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外延層摻雜劑
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Boron, Phosphorus, Arsenic
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2
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外延層晶向
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<100>, <111>
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3
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外延層電阻率
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外延爐
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直徑
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類型
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外延片電阻率
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均勻性
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ASTM F723 F1392
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批式
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100mm
125mm
150mm
200mm
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P/P++; N/N+
N/N++,N/N+/N++
N/P/P; P/N/N+
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0.004（B:0.01）-3 Ω.cm
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≤±3%
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3-30 Ω.cm
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≤±5%
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>30 Ω.cm
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≤±6%
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單片
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150mm
200mm
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P/P++; N/N++
N/N+/N++
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0.3-3 Ω.cm
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≤±2%
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3-30 Ω.cm
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≤±3%
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4
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外延層厚度
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外延爐
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直徑
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類型
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外延片厚度
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均勻性
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ASTM F95
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批式
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100mm
125mm
150mm
200mm
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P/P++; N/N+
N/N++, N/N+/N++
N/P/P; P/N/N+
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3-100μm
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≤±3%
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單片
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150mm
200mm
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P/P++;N/N++
N/N+/N++
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0.1-20μm
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≤±1%
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5
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堆垛層錯(cuò)密度性
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≤10/cm2
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ASTM F1810
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6
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滑移線
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≤5條，總長度<1/2圓片直徑
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ASTM F1725 F1726
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7
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霧、劃傷、凹坑、桔皮、裂紋、鴉爪、崩邊、異物、背面沾污
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無
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ASTM F523
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8
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冠狀邊緣
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表面上凸起物高度不超過1/3延層厚度
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9
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點(diǎn)缺陷
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SEMI標(biāo)準(zhǔn)
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ASTM F523
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